Среда, 26.07.2017, 19:43
Главная Регистрация RSS
Приветствую Вас, Гость
Форма входа
Логин:
Пароль:
Поиск
Живой эфир
Наши фото
Доска объявлений
Куплю- продам...

Печатные платы на заказ


Куплю- продам...

Kenwood 950sdx


Куплю- продам...

КПЕ 2х260-350пФ.


День рождения
RA4AT(66), ЛЕВ(63), hunter(57), voral(59), galaksi(52), кира(48)

Главная » Статьи » СХЕМЫ » Цифровая техника


Добавить статью
Тестер полупроводниковых элементов

Тестер полупроводниковых элементов

В этой статье представлено устройство - тестер полупроводниковых элементов. Прототипом этого устройства послужила статья размещенная на одном из немецких сайтов. Тестер полупроводниковых элементов с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и др. Будет очень полезен начинающему радиолюбителю.
Типы тестируемых элементов

(имя элемента - индикация на дисплее):
- NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
- PNP транзисторы - на дисплее "PNP"
- N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
- P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
- N-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS"
- P-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
- N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
- P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
- Тиристоры - на дисплее "Tyrystor"
- Симисторы - на дисплее "Triak"
- Диоды - на дисплее "Diode"
- Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK"
- Двуханодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA"
- Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series"
- Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric"
- Резисторы - диапазон от 0,5 К до 500К [K]
- Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 1000uF [nF, uF]
При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
- H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000
- (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
- Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
- Прямое напряжение – Uf [mV]
- Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt [mV]
- Емкость затвора (для MOSFET) - C= [nF]

 

Схема, прошивка, печатная плата. СКАЧАТЬ.

Программирование микроконтроллера

Если вы используйте программу AVRStudio достаточно в настройках fuse-битов записать 2 конфигурационных бита: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9. Если Вы используйте другие программы настройте fuse-биты в соответствие с рисунком. В архиве находятся прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также макет печатной платы.



Fuse-биты mega8

Процесс измерения достаточно прост: подключите тестируемый элемент к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку "Тест". Тестер покажет измеренные показания и через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии заряда батареи. Батарея используется напряжением 9V типа "Крона".


Тестирование симистора


Тестирование диода


Тестирование светодиода


Тестирование сдвоенного диода


Тестирование MOSFET


Тестирование транзистора NPN


Тестирование транзистора PNP 

Схема, прошивка, печатная плата. СКАЧАТЬ.

Тестер полупроводниковых элементов
Похожие материалы:


Источник:
Категория: Цифровая техника | Добавил: Admin (06.12.2012)
Просмотров: 3827 | Теги: цифра | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0


Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]